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11 月 17 日，高通公布了最新基于三星最尖端、最革命性的 10 纳米 FinFET 工艺制程技术的芯片 Snapdragon 835，并证实将于 2017 年上半年正式出货。为此，高通还顺便公布了与 Snapdragon 835 相关的第一个全新技术，即新一代快速充电技术 Quick Charge 4，目前也仅有 Snapdragon 835 支持该技术。
Quick Charge 4 是高通快速充电技术的一次重大升级，相比前几代解决方案充电时间更短，效率更高。高通声称，“对于典型的高端手机用户，Quick Charge 4 能通过仅 5 分钟的充电，将手机使用时间延长 5 小时甚至更久。”
通过高通现场演示的幻灯片可以了解到，目前融入 Quick Charge 技术基于高通芯片设计的产品已经超过了 100 余款移动中端，分别来自三星、LG、联想、中兴甚至是谷歌等等。同时，还有超过 300 款独立的配件也支持 Quick Charge 快速充电技术，如壁式与车载适配器、电池组和扩展基座。总的来说，市面上支持 Quick Charge 技术的移动终端和配件产品已经超过 6 亿数量，品种丰富且可用性相当广泛。
相比上一代 Quick Charge 3.0 技术而言，最新的 Quick Charge 4（是 4 而不是 4.0）有高达 20% 的充电速度提升，以及高达 30% 的效率提升。
这些成绩主要得益于对内部平行充电技术 Dual Charge 的改进，并特别推出了最新的电源管理芯片 SMB1380 和 SMB1381，两枚 PMIC 芯片都具有低阻抗和 95% 峰值效率的快充特性。此外，Quick Charge 4 还集成了对 USB Type-C 和 USB-PD 的支持，支持的连接线和适配器变得更加广泛。
高通高级副总裁 Alex Katouzian 表示：“由于移动终端的功能变得更强、特性变得更丰富，人们对它们的使用也更频繁。这是消费者如今对快速充电解决方案的需求和认知达到空前高度的原因。Quick Charge 4 能在大约 15 分钟或更短时间内，充入高达 50% 的电池电量，从而满足了这样的需求。这样你就不再会一整天被充电电线所束缚。”
高通还透露了 Quick Charge 4 一些其他技术的改进。高通称，Quick Charge 4 采用了自家独有的第三版最佳电压智能协商（INOV）电源管理算法。INOV 现已包括了行业首创技术“实时散热管理”，将能够在既定的散热条件下，自主确定并选择最佳的电力传输水平，从而优化充电。
对于安全性和稳定性，高通视为重中之重，新技术不仅能延长电池的循环寿命，而且提供更好的安全性高级功能。高通声称，“该技术在多个层面和整个充电过程中部署保护措施，Quick Charge 4 能在更准确地测量电压、电流和温度的同时，保护电池、系统、线缆和连接器。额外保护层的增加，将帮助防止电池过度充电，并在每个充电周期调节电流。”
Quick Charge 4 技术的配件产品也向后兼容 Quick Charge 2.0 和 3.0 设备。高通最后表示，提供 Quick Charge 4 快充技术的均来自基于 Snapdragon 835 处理器设计的设备，2017 年上半年的某个时候才会正式出货。